"Схемы электронные интегральные": (i) монолитные интегральные схемы, в которых элементы схемы (диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы, индуктивности и т.д.) выполняются в массе (главным образом) и на поверхности полупроводника или сложного полупроводникового материала (например, легированного кремния, арсенида галлия, силикогермания, фосфида индия) и неотделимо связаны; (ii) гибридные интегральные схемы, в которых пассивные элементы (резисторы, конденсаторы, индуктивности и т.д.), выполненные с помощью процессов тонко- или толстопленочной технологии, и активные элементы (диоды, транзисторы, монолитные интегральные схемы и т.д.), полученные с помощью процессов полупроводниковой технологии, соединяются в единое неразделимое целое посредством межэлементных соединений или соединительных кабелей на одной изолирующей подложке (стекло, керамика и т.д.). Такие схемы могут также содержать дискретные компоненты; (iii) многокристальные интегральные схемы, состоящие из двух или более соединенных между собой монолитных интегральных схем, неразделимо объединенных в единое целое, расположенных или не расположенных на одной или нескольких изолирующих подложках, имеющие или не имеющие рамки с выводами, но не содержащие никаких других активных или пассивных элементов; (iv) многокомпонентные интегральные схемы, состоящие из одной или более монолитных, гибридных или многокристальных интегральных схем, объединенных, по крайней мере, с одним из следующих компонентов: датчиками на основе кремния, приводами на основе кремния, генераторами на основе кремния, резонаторами на основе кремния или их комбинациями, или компонентами, выполняющими функции изделий, классифицируемых в товарных позициях 8532, 8533, 8541, или индукторами, классифицируемыми в товарной позиции 8504, неразделимо объединенные в единое целое как интегральная схема, представляющая собой компонент, устанавливаемый на печатной плате или другом носителе, путем подключения к контактам, проводникам, шариковым выводам, заземлениям, выводам или контактным площадкам.